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Renesas Electronics ISL6612BIR-T

Name: ISL6612BIR-T
Brand: Renesas Electronics
SKU: DS-6136434
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

Hersteller Modell :ISL6612BIR-T

Hersteller :Renesas Electronics

Dasenic Modell :ISL6612BIR-T-DS

Dokument :

ISL6612BIR-T Dokument

Kundenanpassung :

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Beschreibung : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

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ISL6612BIR-T Informationen

Renesas Electronics ISL6612BIR-T technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:10-VFDFN Exposed Pad
入力タイプ:Non-Inverting
サプライヤーデバイスパッケージ:10-DFN (3x3)
電圧 - 供給:7V ~ 13.2V
チャンネルタイプ:Synchronous
駆動構成:Half-Bridge
ドライバー数:2
ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:1.25A, 2A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):36 V
上昇/下降時間（標準）:26ns, 18ns
EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8542.39.0001
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
ISL6612BIR-T,

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FedEx	3-7 business days
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ISL6612BIR-T bereitgestellt von Renesas Electronics

ルネサスエレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサスエレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ（SoC）、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境（IDE）は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。