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IDT, Integrated Device Technology Inc M3016316035NX0IBCR
Hersteller Modell :M3016316035NX0IBCR
Hersteller :IDT, Integrated Device Technology Inc
Dasenic Modell :M3016316035NX0IBCR-DS
Dokument : M3016316035NX0IBCR Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : M3016316 MRAM PARALLEL 16MB X16
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M3016316035NX0IBCR Informationen
IDT, Integrated Device Technology Inc M3016316035NX0IBCR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:484-BGA
- テクノロジー:MRAM (Magnetoresistive RAM)
- サプライヤーデバイスパッケージ:484-CABGA (23x23)
- メモリサイズ:16Mbit
- メモリタイプ:Non-Volatile
- 電圧 - 供給:2.7V ~ 3.6V
- アクセス時間:35 ns
- メモリフォーマット:RAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:35ns
- 記憶の組織化:1M x 16
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
M3016316035NX0IBCR bereitgestellt von IDT, Integrated Device Technology Inc
ルネサス エレクトロニクス株式会社 (TSE: 6723) は、マイクロコントローラの世界的リーダーであり、高度な半導体ソリューションの優先プロバイダーです。ルネサス エレクトロニクスは、2002 年 11 月に日立セミコンダクタと三菱電機の 2 つの日本の大手半導体企業の合併により設立されました。マイクロコントローラ、アナログ、電源、SoC 製品の世界的リーダーとして、ルネサスは自動車、産業、家庭用電化製品、オフィス オートメーション、情報通信技術など、幅広いアプリケーションに包括的なソリューションを提供しています。同社のグローバル本社は東京にあります。ルネサス エレクトロニクスは、ヨーロッパ、中東、アジア、北米にオフィス、研究開発センター、製造施設、販売拠点を持ち、世界的に大きな足跡を残しています。
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