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IDT, Integrated Device Technology Inc R1EV58064BDARBI#B2
Hersteller Modell :R1EV58064BDARBI#B2
Hersteller :IDT, Integrated Device Technology Inc
Dasenic Modell :R1EV58064BDARBI#B2-DS
Dokument : R1EV58064BDARBI#B2 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP
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R1EV58064BDARBI#B2 Informationen
IDT, Integrated Device Technology Inc R1EV58064BDARBI#B2 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:28-DIP (0.600", 15.24mm)
- テクノロジー:EEPROM
- サプライヤーデバイスパッケージ:28-DIP
- メモリサイズ:64Kbit
- メモリタイプ:Non-Volatile
- 電圧 - 供給:2.7V ~ 5.5V
- アクセス時間:100 ns
- メモリフォーマット:EEPROM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:10ms
- シリーズ:R1EV58064BxxR
- 基本製品番号:R1EV58064
- 記憶の組織化:8K x 8
- パッケージ:Tray
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.32.0051
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
R1EV58064BDARBI#B2 bereitgestellt von IDT, Integrated Device Technology Inc
ルネサス エレクトロニクス株式会社 (TSE: 6723) は、マイクロコントローラの世界的リーダーであり、高度な半導体ソリューションの優先プロバイダーです。ルネサス エレクトロニクスは、2002 年 11 月に日立セミコンダクタと三菱電機の 2 つの日本の大手半導体企業の合併により設立されました。マイクロコントローラ、アナログ、電源、SoC 製品の世界的リーダーとして、ルネサスは自動車、産業、家庭用電化製品、オフィス オートメーション、情報通信技術など、幅広いアプリケーションに包括的なソリューションを提供しています。同社のグローバル本社は東京にあります。ルネサス エレクトロニクスは、ヨーロッパ、中東、アジア、北米にオフィス、研究開発センター、製造施設、販売拠点を持ち、世界的に大きな足跡を残しています。
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