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Renesas Electronics UPA2812T1L-E2-AT
MOSFET P-CH 30V 30A 8HWSON
Hersteller Modell :UPA2812T1L-E2-AT
Hersteller :Renesas Electronics
Dasenic Modell :UPA2812T1L-E2-AT-DS
Dokument :
UPA2812T1L-E2-AT Dokument
UPA2812T1L-E2-AT DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 30A 8HWSON
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.4888 | $ 1.49 |
| 25+ | $ 1.4590 | $ 36.48 |
| 100+ | $ 1.3994 | $ 139.94 |
| 500+ | $ 1.3400 | $ 670 |
| 1000+ | $ 1.2654 | $ 1265.4 |
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UPA2812T1L-E2-AT Informationen
Renesas Electronics UPA2812T1L-E2-AT technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Last Time Buy
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-HWSON (3.3x3.3)
- 消費電力（最大）:1.5W (Ta)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.8mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:100 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3740 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
UPA2812T1L-E2-AT bereitgestellt von Renesas Electronics
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ（SoC）、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境（IDE）は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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