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Rochester Electronics FF8MR12W2M1B11BOMA1
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Hersteller Modell :FF8MR12W2M1B11BOMA1
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :FF8MR12W2M1B11BOMA1-DS
Dokument :
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Dokument
FF8MR12W2M1B11BOMA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 476.4000 | $ 476.4 |
| 25+ | $ 466.8800 | $ 11672 |
| 100+ | $ 447.8200 | $ 44782 |
| 500+ | $ 428.7600 | $ 214380 |
| 1000+ | $ 404.9400 | $ 404940 |
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FF8MR12W2M1B11BOMA1 Informationen
Rochester Electronics FF8MR12W2M1B11BOMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:20mW (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ:AG-EASY2BM-2
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:150A (Tj)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
- Vgs(th) (最大) @ Id:5.55V @ 60mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:372nC @ 15V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:11000pF @ 800V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FF8MR12W2M1B11BOMA1 bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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