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Rochester Electronics HGT1S15N120C3S
Hersteller Modell :HGT1S15N120C3S
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :HGT1S15N120C3S-DS
Dokument : HGT1S15N120C3S Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
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HGT1S15N120C3S Informationen
Rochester Electronics HGT1S15N120C3S technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:164 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AB
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):35 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.5V @ 15V, 15A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):120 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:100 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:Vendor omitted MSL Rating information
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HGT1S15N120C3S bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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