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Rochester Electronics HGTG5N120BND
Hersteller Modell :HGTG5N120BND
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :HGTG5N120BND-DS
Dokument : HGTG5N120BND Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
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HGTG5N120BND Informationen
Rochester Electronics HGTG5N120BND technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Not For New Designs
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:167 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 逆回復時間 (trr):65 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):21 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.7V @ 15V, 5A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):40 A
- エネルギーの切り替え:450µJ (on), 390µJ (off)
- ゲートチャージ:53 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:22ns/160ns
- テスト条件:960V, 5A, 25Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
HGTG5N120BND bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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