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Rochester Electronics IPI65R660CFD
N-CHANNEL POWER MOSFET
Hersteller Modell :IPI65R660CFD
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :IPI65R660CFD-DS
Dokument :
IPI65R660CFD Dokument
IPI65R660CFD DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFET
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IPI65R660CFD Informationen
Rochester Electronics IPI65R660CFD technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO262-3-1
- 消費電力（最大）:62.5W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:660mOhm @ 2.1A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 200µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:22 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:615 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IPI65R660CFD bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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