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Rochester Electronics IRFW610BTMFP001
N-CHANNEL POWER MOSFET
Hersteller Modell :IRFW610BTMFP001
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :IRFW610BTMFP001-DS
Dokument :
IRFW610BTMFP001 Dokument
IRFW610BTMFP001 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : N-CHANNEL POWER MOSFET
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 0.6143 | $ 0.61 |
| 25+ | $ 0.6020 | $ 15.05 |
| 100+ | $ 0.5774 | $ 57.74 |
| 500+ | $ 0.5529 | $ 276.45 |
| 1000+ | $ 0.5222 | $ 522.2 |
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IRFW610BTMFP001 Informationen
Rochester Electronics IRFW610BTMFP001 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:D²PAK
- 消費電力（最大）:3.13W (Ta), 38W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.3A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.5Ohm @ 1.65A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9.3 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:225 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:Vendor omitted MSL Rating information
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IRFW610BTMFP001 bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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