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Onsemi KSD2012GTU
Hersteller Modell :KSD2012GTU
Hersteller :Onsemi
Dasenic Modell :KSD2012GTU-DS
Dokument : KSD2012GTU Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
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KSD2012GTU Informationen
Onsemi KSD2012GTU technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:TO-220-3 Full Pack
- Leistung – Max:25 W
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220F-3
- Transistortyp:NPN
- Strom - Kollektor ( Ic) ( Max):3 A
- Spannung - Kollektor- Emitter- Durchbruch ( Max.):60 V
- Vce- Sättigung (max.) bei Ib, Ic:1V @ 200mA, 2A
- Strom - Kollektorabschaltung (max.):100µA (ICBO)
- D C- Stromverstärkung (h F E) ( Min) @ Ic, Vce:150 @ 500mA, 5V
- Frequenz - Übergang:3MHz
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
KSD2012GTU bereitgestellt von Onsemi
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) wurde 1999 gegründet und konzentriert sich auf die Automobil- und Industrie-Endmärkte. Das Unternehmen beschleunigt den Wandel bei Megatrends wie Fahrzeugelektrifizierung und -sicherheit, nachhaltige Energienetze, industrielle Automatisierung sowie 5G- und Cloud-Infrastruktur. Onsemi bietet ein vielfältiges Portfolio an Halbleiterprodukten, darunter diskrete Module und Leistungsmodule, Leistungsmanagement, Signalaufbereitung und -steuerung, Sensoren, Motorsteuerung, kundenspezifische Module und ASSP, Schnittstellen, drahtlose Konnektivität, Timing, Logik und Speicher. Mit einem hochdifferenzierten und innovativen Produktportfolio entwickelt onsemi intelligente Leistungs- und Sensortechnologien, die die komplexesten Herausforderungen der Welt lösen und den Weg für eine sicherere, sauberere und intelligentere Welt weisen. Das Unternehmen mit Hauptsitz in Arizona, USA, verfügt über eine robuste Infrastruktur, die ein umfangreiches Netzwerk aus 19 Produktionsstandorten, 43 Designzentren und 8 Lösungsentwicklungszentren umfasst.
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