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Rohm Semiconductor RJ1L12BGNTLL
NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
Hersteller Modell :RJ1L12BGNTLL
Hersteller :Rohm Semiconductor
Dasenic Modell :RJ1L12BGNTLL-DS
Dokument :
RJ1L12BGNTLL Dokument
RJ1L12BGNTLL DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 3.2742 | $ 3.27 |
| 10+ | $ 2.4561 | $ 24.56 |
| 50+ | $ 2.1636 | $ 108.18 |
| 100+ | $ 1.8477 | $ 184.77 |
| 500+ | $ 1.7190 | $ 859.5 |
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RJ1L12BGNTLL Informationen
Rohm Semiconductor RJ1L12BGNTLL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AB
- 消費電力（最大）:192W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:120A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.9mOhm @ 40A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 500µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:175 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:9000 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RJ1L12BGNTLL bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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