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Rohm Semiconductor RV2C010UNM60T2L1
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
Hersteller Modell :RV2C010UNM60T2L1
Hersteller :Rohm Semiconductor
Dasenic Modell :RV2C010UNM60T2L1-DS
Dokument :
RV2C010UNM60T2L1 Dokument
RV2C010UNM60T2L1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
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RV2C010UNM60T2L1 Informationen
Rohm Semiconductor RV2C010UNM60T2L1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-
- Montagetyp:-
- Verpackung/ Koffer:-
- Technologie:-
- Gerätepaket des Lieferanten:-
- Verlustleistung (max.):-
- F E T- Typ:-
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):-
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:-
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:-
- Vgs(th) ( Max) @ Id:-
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:-
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:-
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):-
- Vgs (max.):-
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RV2C010UNM60T2L1 bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor (TYO:6963) ist einer der weltweit führenden Hersteller von Halbleitern und elektronischen Bauteilen. Das 1958 gegründete multinationale Konzernunternehmen mit Hauptsitz in Kyoto, Japan, hat seinen Geschäftsbereich seit seiner Gründung vor über 60 Jahren durch den Ausbau seiner Design- und Fertigungstechnologien, Qualitätssicherungstechnologien und Lösungsangebotskapazitäten erweitert. Diese im Laufe seiner langen Geschichte angesammelten Technologien und Kapazitäten zeichnen sich durch vier Hauptmerkmale aus: integrale Technologien, IDM (vertikale Integration als integrierter Gerätehersteller), eine breite Produktpalette und Kundenorientierung. Durch unseren Fokus auf Strom- und Analogtechnologielösungen, bei denen wir diese Stärken maximal nutzen können, bieten wir unseren Kunden einen hohen Mehrwert und tragen zur Lösung sozialer Probleme bei.
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