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Samsung SI-B8T081B00WW

LED MODULE HI EFFICACY
part number has RoHS
Hersteller Modell :SI-B8T081B00WW
Hersteller :Samsung
Dasenic Modell :SI-B8T081B00WW-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : LED MODULE HI EFFICACY
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 11.0700$ 11.07
10+$ 8.3511$ 83.51
150+$ 11.0700$ 1660.5
600+$ 6.4425$ 3865.5
1050+$ 6.0846$ 6388.83
Auf Lager: 1678
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 11.07
Gesamt :$ 11.07
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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SI-B8T081B00WW Informationen

  • Samsung SI-B8T081B00WW technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Optoelectronics Devices/LED Lighting - COBs, Engines, Modules, Strips
  • 製品ステータス:Active
  • 色:-
  • 特徴:-
  • サイズ:-
  • タイプ:-
  • 身長:-
  • 構成:-
  • 電流 - 最大:-
  • 現在 - テスト:-
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (標準):-
  • 波長:-
  • 視野角:-
  • C C T( K):-
  • 光束@電流/温度:-
  • 温度 - テスト:-
  • ルーメン/ワット@電流 - テスト:-
  • C R I(演色評価数):-
  • 発光面( L E S):-
  • レンズタイプ:-
SI-B8T081B00WW bereitgestellt von Samsung
Samsung Semiconductor, Inc. は、世界最大の電子企業のひとつである Samsung Electronics の子会社です。Samsung Semiconductor は、メモリ、ストレージ、システムオンチップ ソリューションなどの半導体製品の設計と製造に注力しています。Samsung Semiconductor のメモリ製品ラインには、コンピュータ、スマートフォン、ソリッド ステート ドライブなどの幅広いデバイスで使用されるダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) と NAND フラッシュ メモリが含まれています。メモリに加えて、Samsung Semiconductor は、モバイル デバイスやカメラで使用するための高度なアプリケーション プロセッサやイメージ センサーも製造しています。同社はイノベーションに注力しており、最先端の製品を生み出すために研究開発に多額の投資を行っています。韓国、米国、インド、中国に研究開発センターがあります。Samsung Semiconductor は、米国、中国、韓国などさまざまな国に営業所や製造施設を構え、グローバルに事業を展開しています。同社は、テクノロジー、品質、顧客サービスに重点を置いた世界有数の半導体メーカーです。
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