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SemiQ GHXS020A060S-D3

DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
part number has RoHS
Hersteller Modell :GHXS020A060S-D3
Hersteller :SemiQ
Dasenic Modell :GHXS020A060S-D3-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 67.0800$ 67.08
10+$ 51.0600$ 510.6
20+$ 50.0800$ 1001.6
50+$ 49.7200$ 2486
100+$ 45.3000$ 4530
Auf Lager: 1504
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 67.08
Gesamt :$ 67.08
Waren ausliefern :
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GHXS020A060S-D3 Informationen

  • SemiQ GHXS020A060S-D3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Chassis Mount
  • Verpackung/ Koffer:SOT-227-4, miniBLOC
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-227
  • Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.7 V @ 20 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:200 µA @ 600 V
  • Diodenkonfiguration:2 Independent
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):600 V
  • Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):20A
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 175°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • US-ECCN:EAR99
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GHXS020A060S-D3 bereitgestellt von SemiQ
SemiQ Inc. ist ein in den USA ansässiger Entwickler und Hersteller von Leistungshalbleiterbauelementen und -materialien aus Siliziumkarbid (SiC), darunter: SiC-Leistungs-MPS-Dioden, SiC-Module, SiC-Leistungs-MOSFETs, SiC-Sondermodule, SiC-Bare-Die, SiC-Sonder-N-Typ-Epi-Wafer usw. SemiQ ist in Privatbesitz und teilweise im Besitz der Mitarbeiter. SemiQ (früher bekannt als Global Power Technologies Group) begann 2012 an seinem Hauptsitz in Südkalifornien mit der Entwicklung von Siliziumkarbidtechnologien, wo es auch Epi-Bauteile herstellt und Bauelemente entwickelt. Vor Kurzem hat SemiQ seine SiC-Schottky-Dioden der 3. Generation (Typ Merged PiN Schottky) auf den Markt gebracht, die Verbesserungen bei Stoßstrom, Feuchtigkeitsbeständigkeit sowie allgemeiner Robustheit und Robustheit aufweisen. SemiQ-Produkte werden weltweit in Ladesystemen für Elektrofahrzeuge, Induktionsheizungen, Stromversorgungen, Brennstoffzellen-Stromerzeugung und Solarwechselrichtern eingesetzt. Darüber hinaus bietet SemiQ Anwendungskompetenz im Bereich der Stromumwandlung und verfügt über umfangreiche Erfahrung in der Entwicklung von Wechselrichtern mit 3,3 kW, 6,6 kW und mehr. Die Produktions- und Entwicklungsanlagen von SemiQ befinden sich in Lake Forest, Kalifornien. Das Unternehmen verfügt über eine vollständig redundante SiC-Lieferkette.
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