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SemiQ GHXS030A120S-D1E
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
Hersteller Modell :GHXS030A120S-D1E
Hersteller :SemiQ
Dasenic Modell :GHXS030A120S-D1E-DS
Dokument :
GHXS030A120S-D1E Dokument
GHXS030A120S-D1E DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 107.5000 | $ 107.5 |
| 10+ | $ 87.5080 | $ 875.08 |
| 100+ | $ 107.5000 | $ 10750 |
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GHXS030A120S-D1E Informationen
SemiQ GHXS030A120S-D1E technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- テクノロジー:Silicon Carbide Schottky
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- ダイオードタイプ:Single Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧（最大）:1.2 kV
- 電流 - 平均整流 ( Io):30 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 30 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:200 µA @ 1200 V
- 基本製品番号:GHXS030
- パッケージ:Tube
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GHXS030A120S-D1E bereitgestellt von SemiQ
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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