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SemiQ GHXS050A170S-D3

1700V 50A SIC SBD PARALLEL
part number has RoHS
Hersteller Modell :GHXS050A170S-D3
Hersteller :SemiQ
Dasenic Modell :GHXS050A170S-D3-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : 1700V 50A SIC SBD PARALLEL
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 109.3000$ 109.3
10+$ 92.9000$ 929
20+$ 89.7600$ 1795.2
50+$ 86.7600$ 4338
100+$ 83.7800$ 8378
Auf Lager: 1515
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 109.3
Gesamt :$ 109.30
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GHXS050A170S-D3 Informationen

  • SemiQ GHXS050A170S-D3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Chassis Mount
  • Verpackung/ Koffer:SOT-227-4, miniBLOC
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-227
  • Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.9 V @ 50 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:750 µA @ 1700 V
  • Diodenkonfiguration:2 Independent
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1700 V
  • Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):150A
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 175°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • US-ECCN:EAR99
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GHXS050A170S-D3 bereitgestellt von SemiQ
SemiQ Inc. ist ein in den USA ansässiger Entwickler und Hersteller von Leistungshalbleiterbauelementen und -materialien aus Siliziumkarbid (SiC), darunter: SiC-Leistungs-MPS-Dioden, SiC-Module, SiC-Leistungs-MOSFETs, SiC-Sondermodule, SiC-Bare-Die, SiC-Sonder-N-Typ-Epi-Wafer usw. SemiQ ist in Privatbesitz und teilweise im Besitz der Mitarbeiter. SemiQ (früher bekannt als Global Power Technologies Group) begann 2012 an seinem Hauptsitz in Südkalifornien mit der Entwicklung von Siliziumkarbidtechnologien, wo es auch Epi-Bauteile herstellt und Bauelemente entwickelt. Vor Kurzem hat SemiQ seine SiC-Schottky-Dioden der 3. Generation (Typ Merged PiN Schottky) auf den Markt gebracht, die Verbesserungen bei Stoßstrom, Feuchtigkeitsbeständigkeit sowie allgemeiner Robustheit und Robustheit aufweisen. SemiQ-Produkte werden weltweit in Ladesystemen für Elektrofahrzeuge, Induktionsheizungen, Stromversorgungen, Brennstoffzellen-Stromerzeugung und Solarwechselrichtern eingesetzt. Darüber hinaus bietet SemiQ Anwendungskompetenz im Bereich der Stromumwandlung und verfügt über umfangreiche Erfahrung in der Entwicklung von Wechselrichtern mit 3,3 kW, 6,6 kW und mehr. Die Produktions- und Entwicklungsanlagen von SemiQ befinden sich in Lake Forest, Kalifornien. Das Unternehmen verfügt über eine vollständig redundante SiC-Lieferkette.
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