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SemiQ GP2D005A170B

Name: GP2D005A170B
Brand: SemiQ
SKU: DS-5864115
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE SCHOTTKY 1700V 5A TO247-2

Hersteller Modell :GP2D005A170B

Hersteller :SemiQ

Dasenic Modell :GP2D005A170B-DS

Dokument :

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Kundenanpassung :

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Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 1700V 5A TO247-2

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GP2D005A170B Informationen

SemiQ GP2D005A170B technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
Produktstatus:Discontinued at Digi-Key
Montagetyp:Through Hole
Verpackung/ Koffer:TO-247-2
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-2
Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):5A (DC)
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.75 V @ 5 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:10 µA @ 1700 V
Kapazität @ Vr, F:406pF @ 1V, 1MHz
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1700 V
Sperrverzögerungszeit (trr):0 ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 175°C
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH-Status:REACH Affected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.10.0080
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
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Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich innerhalb von 1–3 Tagen versandt. Dasenic versendet Bestellungen einmal täglich gegen 18:00 Uhr, außer sonntags. Nach dem Versand hängt die voraussichtliche Lieferzeit von den unten von Ihnen ausgewählten Spediteuren ab.
DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

GP2D005A170B bereitgestellt von SemiQ

SemiQ Inc. ist ein in den USA ansässiger Entwickler und Hersteller von Leistungshalbleiterbauelementen und -materialien aus Siliziumkarbid (SiC), darunter: SiC-Leistungs-MPS-Dioden, SiC-Module, SiC-Leistungs-MOSFETs, SiC-Sondermodule, SiC-Bare-Die, SiC-Sonder-N-Typ-Epi-Wafer usw. SemiQ ist in Privatbesitz und teilweise im Besitz der Mitarbeiter. SemiQ (früher bekannt als Global Power Technologies Group) begann 2012 an seinem Hauptsitz in Südkalifornien mit der Entwicklung von Siliziumkarbidtechnologien, wo es auch Epi-Bauteile herstellt und Bauelemente entwickelt. Vor Kurzem hat SemiQ seine SiC-Schottky-Dioden der 3. Generation (Typ Merged PiN Schottky) auf den Markt gebracht, die Verbesserungen bei Stoßstrom, Feuchtigkeitsbeständigkeit sowie allgemeiner Robustheit und Robustheit aufweisen. SemiQ-Produkte werden weltweit in Ladesystemen für Elektrofahrzeuge, Induktionsheizungen, Stromversorgungen, Brennstoffzellen-Stromerzeugung und Solarwechselrichtern eingesetzt. Darüber hinaus bietet SemiQ Anwendungskompetenz im Bereich der Stromumwandlung und verfügt über umfangreiche Erfahrung in der Entwicklung von Wechselrichtern mit 3,3 kW, 6,6 kW und mehr. Die Produktions- und Entwicklungsanlagen von SemiQ befinden sich in Lake Forest, Kalifornien. Das Unternehmen verfügt über eine vollständig redundante SiC-Lieferkette.