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SemiQ GP3D005A170B
SIC SCHOTTKY DIODE 1700V TO247-2
Hersteller Modell :GP3D005A170B
Hersteller :SemiQ
Dasenic Modell :GP3D005A170B-DS
Dokument :
GP3D005A170B Dokument
GP3D005A170B DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : SIC SCHOTTKY DIODE 1700V TO247-2
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 5.2380 | $ 5.24 |
| 10+ | $ 3.1140 | $ 31.14 |
| 120+ | $ 3.0960 | $ 371.52 |
| 270+ | $ 2.5200 | $ 680.4 |
| 510+ | $ 2.3850 | $ 1216.35 |
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GP3D005A170B Informationen
SemiQ GP3D005A170B technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-2
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):21A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.65 V @ 5 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:20 µA @ 1700 V
- 静電容量 @ Vr、 F:347pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1700 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GP3D005A170B bereitgestellt von SemiQ
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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