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STMicroelectronics ESM2012DV
Hersteller Modell :ESM2012DV
Hersteller :STMicroelectronics
Dasenic Modell :ESM2012DV-DS
Dokument : ESM2012DV Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
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ESM2012DV Informationen
STMicroelectronics ESM2012DV technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:ISOTOP
- パワー - 最大:175 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:ISOTOP®
- トランジスタタイプ:NPN - Darlington
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):120 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):120 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:1.5V @ 1A, 100A
- 電流 - コレクターカットオフ(最大):-
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:1200 @ 100A, 5V
- 周波数 - 遷移:-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ESM2012DV bereitgestellt von STMicroelectronics
1987年に設立されたSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM)は、日常生活の中心となる電子機器を動かすインテリジェントでエネルギー効率に優れた製品とソリューションを提供する世界的半導体リーダーです。STは、マイクロコントローラ、デジタルおよびアナログ集積回路、電源管理デバイス、MEMSセンサ、イメージングおよびオーディオソリューション、ワイヤレス接続ソリューションなど、幅広い半導体製品とソリューションの大手サプライヤーです。当社の技術は、よりスマートなモビリティ、より効率的な電力およびエネルギー管理、モノのインターネットおよび5G技術の広範な展開を可能にします。当社は、10万社のお客様と数千社のパートナーと協力して、お客様の課題と機会、そしてより持続可能な世界をサポートするニーズに対応する製品、ソリューション、エコシステムを設計および構築しています。STは、スイスのジュネーブに本社を置き、35か国以上で事業を展開する多国籍企業です。
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