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Taiwan Semiconductor TSM130NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Hersteller Modell :TSM130NB06CR RLG
Hersteller :Taiwan Semiconductor
Dasenic Modell :TSM130NB06CR RLG-DS
Dokument :
TSM130NB06CR RLG Dokument
TSM130NB06CR RLG DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.6066 | $ 6.07 |
| 2500+ | $ 0.3370 | $ 842.5 |
| 5000+ | $ 0.3209 | $ 1604.5 |
| 12500+ | $ 0.3061 | $ 3826.25 |
| 25000+ | $ 0.3056 | $ 7640 |
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TSM130NB06CR RLG Informationen
Taiwan Semiconductor TSM130NB06CR RLG technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-PDFN (5x6)
- 消費電力（最大）:3.1W (Ta), 83W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A (Ta), 51A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:13mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:36 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2380 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TSM130NB06CR RLG bereitgestellt von Taiwan Semiconductor
1979 年に設立された台湾セミコンダクターは、地元の製造業者として始まり、1,500 人の従業員を擁するグローバル企業に成長しました。同社は台湾証券取引所に上場しています。台湾セミコンダクターは、ディスクリート パワー整流器のコア コンピタンスとして 40 年以上にわたり認められており、トレンチ ショットキー、MOSFET、パワー トランジスタ、LED ドライバ IC、アナログ IC、ESD 保護デバイスを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在ではワンストップで完全なソリューションを提供しています。これらの製品は、自動車、コンピューター、消費者、産業、通信、太陽光発電など、エレクトロニクス業界のさまざまなアプリケーションで使用されています。台湾セミコンダクターの中国と台湾の生産施設は、現在の自動車および環境基準に完全に準拠しています。世界 13 か所に営業所があり、アジア、ヨーロッパ、アメリカのお客様に便利にサービスを提供しています。
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