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Taiwan Semiconductor TSM2NB60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Hersteller Modell :TSM2NB60CH C5G
Hersteller :Taiwan Semiconductor
Dasenic Modell :TSM2NB60CH C5G-DS
Dokument :
TSM2NB60CH C5G Dokument
TSM2NB60CH C5G DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 0.8100 | $ 0.81 |
| 75+ | $ 0.6730 | $ 50.48 |
| 150+ | $ 0.4884 | $ 73.26 |
| 525+ | $ 0.4081 | $ 214.25 |
| 1050+ | $ 0.3473 | $ 364.67 |
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TSM2NB60CH C5G Informationen
Taiwan Semiconductor TSM2NB60CH C5G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-251 (IPAK)
- 消費電力（最大）:44W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.4Ohm @ 1A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9.4 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:249 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TSM2NB60CH C5G bereitgestellt von Taiwan Semiconductor
1979 年に設立された台湾セミコンダクターは、地元の製造業者として始まり、1,500 人の従業員を擁するグローバル企業に成長しました。同社は台湾証券取引所に上場しています。台湾セミコンダクターは、ディスクリート パワー整流器のコア コンピタンスとして 40 年以上にわたり認められており、トレンチ ショットキー、MOSFET、パワー トランジスタ、LED ドライバ IC、アナログ IC、ESD 保護デバイスを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在ではワンストップで完全なソリューションを提供しています。これらの製品は、自動車、コンピューター、消費者、産業、通信、太陽光発電など、エレクトロニクス業界のさまざまなアプリケーションで使用されています。台湾セミコンダクターの中国と台湾の生産施設は、現在の自動車および環境基準に完全に準拠しています。世界 13 か所に営業所があり、アジア、ヨーロッパ、アメリカのお客様に便利にサービスを提供しています。
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