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Texas Instruments CSD19537Q3

MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
part number has RoHS
Hersteller Modell :CSD19537Q3
Hersteller :Texas Instruments
Dasenic Modell :CSD19537Q3-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
115+$ 0.4050$ 46.58
240+$ 0.3789$ 90.94
370+$ 0.3654$ 135.2
535+$ 0.3393$ 181.53
690+$ 0.3267$ 225.42
Auf Lager: 30000
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 0.405
Gesamt :$ 0.41
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CSD19537Q3 Informationen

  • Texas Instruments CSD19537Q3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-VSON (3.3x3.3)
  • 消費電力(最大):2.8W (Ta), 83W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:50A (Ta)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:14.5mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:3.6V @ 250µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:21 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1680 pF @ 50 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):6V, 10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CSD19537Q3 bereitgestellt von Texas Instruments
1930 年に設立された Texas Instruments (Nasdaq: TXN) は、アナログおよび組み込み処理チップの設計、製造、テスト、販売を行う世界的な半導体企業です。TI の製品は、低消費電力、低コストのデバイスから高性能の専用ソリューションまで多岐にわたります。マイクロコントローラ、アナログ/デジタル コンバータ (ADC)、デジタル/アナログ コンバータ (DAC)、オペアンプ、電源管理 IC など、約 80,000 種類の製品を取り揃え、産業、自動車、パーソナル エレクトロニクス、通信機器、エンタープライズ システムなどの市場に進出する 100,000 社以上のお客様が、電力を効率的に管理し、データを正確に感知して送信し、設計の中核となる制御や処理を提供するのを支援しています。TI は、世界各地に所有され、地域的に多様な社内製造業務を長年にわたって展開しており、世界中に 15 の製造拠点、12 のウェーハ工場、7 つの組み立ておよびテスト工場、複数のバンプおよびプローブ施設を有しています。
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