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Texas Instruments LM5109SD

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON
part number has RoHS
Hersteller Modell :LM5109SD
Hersteller :Texas Instruments
Dasenic Modell :LM5109SD-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 2.1803$ 21.8
1000+$ 1.4535$ 1453.5
2000+$ 1.4122$ 2824.4
3000+$ 1.4535$ 4360.5
5000+$ 1.3685$ 6842.5
Auf Lager: 2623
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 2.1803
Gesamt :$ 2.18
Waren ausliefern :
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LM5109SD Informationen

  • Texas Instruments LM5109SD technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-WDFN Exposed Pad
  • 入力タイプ:Non-Inverting
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-WSON (4x4)
  • 電圧 - 供給:8V ~ 14V
  • チャンネルタイプ:Independent
  • 駆動構成:Half-Bridge
  • ドライバー数:2
  • ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
  • ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 2.2V
  • 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):1A, 1A
  • ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):118 V
  • 上昇/下降時間(標準):15ns, 15ns
  • 基本製品番号:LM5109
  • パッケージ:Dasenic-Reel®
  • パッケージ:Cut Tape (CT)
  • パッケージ:Tape & Reel (TR)
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.39.0001
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
LM5109SD bereitgestellt von Texas Instruments
1930 年に設立された Texas Instruments (Nasdaq: TXN) は、アナログおよび組み込み処理チップの設計、製造、テスト、販売を行う世界的な半導体企業です。TI の製品は、低消費電力、低コストのデバイスから高性能の専用ソリューションまで多岐にわたります。マイクロコントローラ、アナログ/デジタル コンバータ (ADC)、デジタル/アナログ コンバータ (DAC)、オペアンプ、電源管理 IC など、約 80,000 種類の製品を取り揃え、産業、自動車、パーソナル エレクトロニクス、通信機器、エンタープライズ システムなどの市場に進出する 100,000 社以上のお客様が、電力を効率的に管理し、データを正確に感知して送信し、設計の中核となる制御や処理を提供するのを支援しています。TI は、世界各地に所有され、地域的に多様な社内製造業務を長年にわたって展開しており、世界中に 15 の製造拠点、12 のウェーハ工場、7 つの組み立ておよびテスト工場、複数のバンプおよびプローブ施設を有しています。
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