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Rochester Electronics LM5111-3MY/NOPB
BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
Hersteller Modell :LM5111-3MY/NOPB
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :LM5111-3MY/NOPB-DS
Dokument :
LM5111-3MY/NOPB Dokument
LM5111-3MY/NOPB DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 0.6532 | $ 0.65 |
| 25+ | $ 0.6402 | $ 16.01 |
| 100+ | $ 0.6141 | $ 61.41 |
| 500+ | $ 0.5879 | $ 293.95 |
| 1000+ | $ 0.5552 | $ 555.2 |
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LM5111-3MY/NOPB Informationen
Rochester Electronics LM5111-3MY/NOPB technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
- 入力タイプ:Inverting, Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-MSOP-PowerPad
- 電圧 - 供給:3.5V ~ 14V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Low-Side
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 2.2 V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:3A, 5A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:14ns, 12ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
LM5111-3MY/NOPB bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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