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Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(TE12L,F)
MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Hersteller Modell :2SJ360(TE12L,F)
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :2SJ360(TE12L,F)-DS
Dokument :
2SJ360(TE12L,F) Dokument
2SJ360(TE12L,F) DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 1.2834 | $ 12.83 |
| 1000+ | $ 0.8556 | $ 855.6 |
| 2000+ | $ 0.7849 | $ 1569.8 |
| 3000+ | $ 0.8556 | $ 2566.8 |
| 5000+ | $ 0.7084 | $ 3542 |
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2SJ360(TE12L,F) Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(TE12L,F) technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-243AA
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PW-MINI
- 消費電力（最大）:500mW (Ta)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:730mOhm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:6.5 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:155 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
2SJ360(TE12L,F) bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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