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Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121(Q)
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Hersteller Modell :GT30J121(Q)
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :GT30J121(Q)-DS
Dokument :
GT30J121(Q) Dokument
GT30J121(Q) DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT 600V 30A 170W TO3PN
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 200+ | $ 0.9915 | $ 198.3 |
| 300+ | $ 0.9816 | $ 294.48 |
| 500+ | $ 0.9722 | $ 486.1 |
| 1000+ | $ 0.9508 | $ 950.8 |
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GT30J121(Q) Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121(Q) technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:170 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3P(N)
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):30 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.45V @ 15V, 30A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):60 A
- エネルギーの切り替え:1mJ (on), 800µJ (off)
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:90ns/300ns
- テスト条件:300V, 30A, 24Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GT30J121(Q) bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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