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Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF
Hersteller Modell :HN3C10FUTE85LF
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :HN3C10FUTE85LF-DS
Dokument : HN3C10FUTE85LF Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
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HN3C10FUTE85LF Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- パワー - 最大:200mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:US6
- トランジスタタイプ:2 NPN (Dual)
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):80mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):12V
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:80 @ 20mA, 10V
- 周波数 - 遷移:7GHz
- ノイズ指数 (d B 標準 @ f):1.1dB @ 1GHz
- 得:11.5dB
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HN3C10FUTE85LF bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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