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Toshiba Semiconductor and Storage HN4K03JUTE85LF
MOSFET N-CH 20V 100MA USV
Hersteller Modell :HN4K03JUTE85LF
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :HN4K03JUTE85LF-DS
Dokument :
HN4K03JUTE85LF Dokument
HN4K03JUTE85LF DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 100MA USV
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.3557 | $ 3.56 |
| 3000+ | $ 0.2371 | $ 711.3 |
| 6000+ | $ 0.2273 | $ 1363.8 |
| 9000+ | $ 0.2045 | $ 1840.5 |
| 30000+ | $ 0.2015 | $ 6045 |
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HN4K03JUTE85LF Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage HN4K03JUTE85LF technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:5-SSOP
- 消費電力（最大）:200mW (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100mA (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:12Ohm @ 10mA, 2.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:8.5 pF @ 3 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:2.5V
- Vgs (最大):10V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
HN4K03JUTE85LF bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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