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Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3XHF(CT

AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
part number has RoHS
Hersteller Modell :RN1101MFV,L3XHF(CT
Dasenic Modell :RN1101MFV,L3XHF(CT-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 0.1890$ 0.19
10+$ 0.1242$ 1.24
100+$ 0.0558$ 5.58
1000+$ 0.0450$ 45
8000+$ 0.0333$ 266.4
Auf Lager: 36780
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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RN1101MFV,L3XHF(CT Informationen

  • Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3XHF(CT technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:SOT-723
  • パワー - 最大:150 mW
  • サプライヤーデバイスパッケージ:VESM
  • トランジスタタイプ:NPN - Pre-Biased
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 mA
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50 V
  • Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 500µA, 5mA
  • 電流 - コレクターカットオフ(最大):500nA
  • D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:30 @ 10mA, 5V
  • 周波数 - 遷移:-
  • 抵抗器 - ベース ( R1):4.7 kOhms
  • 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):4.7 kOhms
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.21.0095
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN1101MFV,L3XHF(CT bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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