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Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV(TL3,T)
Hersteller Modell :RN1131MFV(TL3,T)
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :RN1131MFV(TL3,T)-DS
Dokument : RN1131MFV(TL3,T) Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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RN1131MFV(TL3,T) Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV(TL3,T) technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-723
- パワー - 最大:150 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:VESM
- トランジスタタイプ:NPN - Pre-Biased
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 500µA, 5mA
- 電流 - コレクターカットオフ(最大):100nA (ICBO)
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:120 @ 1mA, 5V
- 周波数 - 遷移:-
- 抵抗器 - ベース ( R1):100 kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN1131MFV(TL3,T) bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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