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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J215FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Hersteller Modell :SSM6J215FE(TE85L,F
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :SSM6J215FE(TE85L,F-DS
Dokument :
SSM6J215FE(TE85L,F Dokument
SSM6J215FE(TE85L,F DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.1807 | $ 1.81 |
| 4000+ | $ 0.1004 | $ 401.6 |
| 8000+ | $ 0.0917 | $ 733.6 |
| 12000+ | $ 0.1004 | $ 1204.8 |
| 20000+ | $ 0.0822 | $ 1644 |
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SSM6J215FE(TE85L,F Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J215FE(TE85L,F technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:ES6
- 消費電力（最大）:500mW (Ta)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.4A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:59mOhm @ 3A, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:10.4 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:630 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.5V, 4.5V
- Vgs (最大):±8V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SSM6J215FE(TE85L,F bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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