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Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L(T6L1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Hersteller Modell :TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :TK8S06K3L(T6L1,NQ)-DS
Dokument :
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Dokument
TK8S06K3L(T6L1,NQ) DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.3950 | $ 1.4 |
| 10+ | $ 0.9180 | $ 9.18 |
| 100+ | $ 0.6300 | $ 63 |
| 250+ | $ 0.6291 | $ 157.28 |
| 500+ | $ 0.5040 | $ 252 |
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TK8S06K3L(T6L1,NQ) Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L(T6L1,NQ) technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK+
- 消費電力（最大）:25W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:54mOhm @ 4A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:10 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:400 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK8S06K3L(T6L1,NQ) bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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