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Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E,S1E
Hersteller Modell :TK9J90E,S1E
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :TK9J90E,S1E-DS
Dokument : TK9J90E,S1E Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
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TK9J90E,S1E Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E,S1E technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:TO-3P-3, SC-65-3
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P(N)
- Verlustleistung (max.):250W (Tc)
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):900 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:9A (Ta)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:1.3Ohm @ 4.5A, 10V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:4V @ 900µA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:46 nC @ 10 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:2000 pF @ 25 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V
- Vgs (max.):±30V
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK9J90E,S1E bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) ist das nordamerikanische Geschäft für elektronische Komponenten von Toshiba. TAEC bietet eine breite Palette an IC- und diskreten Produkten, darunter High-End-Mikrocontroller, ASICs und ASSPs für Automobil-, Multimedia-, Industrie-, Telekommunikations- und Netzwerkanwendungen. Das Unternehmen verfügt außerdem über eine breite Palette an Leistungshalbleiterlösungen sowie Speicherprodukte, darunter Enterprise- und Consumer-HDDs. TAEC wurde 1989 gegründet und bietet Design, Herstellung, Marketing und Vertrieb mit Niederlassungen in den USA und Lateinamerika.
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