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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8102(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
Hersteller Modell :TPCF8102(TE85L,F,M
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :TPCF8102(TE85L,F,M-DS
Dokument :
TPCF8102(TE85L,F,M Dokument
TPCF8102(TE85L,F,M DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.9068 | $ 9.07 |
| 4000+ | $ 0.6045 | $ 2418 |
| 8000+ | $ 0.5727 | $ 4581.6 |
| 12000+ | $ 0.5303 | $ 6363.6 |
| 28000+ | $ 0.5218 | $ 14610.4 |
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TPCF8102(TE85L,F,M Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8102(TE85L,F,M technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SMD, Flat Lead
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:VS-8 (2.9x1.5)
- 消費電力（最大）:700mW (Ta)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:30mOhm @ 3A, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.2V @ 200µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:19 nC @ 5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1550 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.8V, 4.5V
- Vgs (最大):±8V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TPCF8102(TE85L,F,M bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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