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Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Hersteller Modell :TPH4R606NH,L1Q
Hersteller :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Modell :TPH4R606NH,L1Q-DS
Dokument :
TPH4R606NH,L1Q Dokument
TPH4R606NH,L1Q DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 2.2320 | $ 2.23 |
| 10+ | $ 1.4850 | $ 14.85 |
| 100+ | $ 1.0530 | $ 105.3 |
| 500+ | $ 0.8487 | $ 424.35 |
| 1000+ | $ 0.7623 | $ 762.3 |
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TPH4R606NH,L1Q Informationen
Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH,L1Q technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP Advance (5x5)
- 消費電力（最大）:1.6W (Ta), 63W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:32A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.6mOhm @ 16A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 500µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:49 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3965 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TPH4R606NH,L1Q bereitgestellt von Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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