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Transphorm TP65H035G4WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Hersteller Modell :TP65H035G4WS
Hersteller :Transphorm
Dasenic Modell :TP65H035G4WS-DS
Dokument :
TP65H035G4WS Dokument
TP65H035G4WS DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 15.0930 | $ 15.09 |
| 30+ | $ 9.8910 | $ 296.73 |
| 120+ | $ 9.5130 | $ 1141.56 |
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TP65H035G4WS Informationen
Transphorm TP65H035G4WS technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 消費電力（最大）:156W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:46.5A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:41mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:22 nC @ 0 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1500 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TP65H035G4WS bereitgestellt von Transphorm
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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