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Transphorm TP90H050WS
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Hersteller Modell :TP90H050WS
Hersteller :Transphorm
Dasenic Modell :TP90H050WS-DS
Dokument :
TP90H050WS Dokument
TP90H050WS DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 24.4500 | $ 244.5 |
| 450+ | $ 20.3750 | $ 9168.75 |
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TP90H050WS Informationen
Transphorm TP90H050WS technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:TO-247-3
- Technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
- Verlustleistung (max.):119W (Tc)
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):900 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:34A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:63mOhm @ 22A, 10V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:4.4V @ 700µA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:17.5 nC @ 10 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:980 pF @ 600 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V
- Vgs (max.):±20V
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TP90H050WS bereitgestellt von Transphorm
Transphorm wurde 2007 gegründet und ist ein globales Halbleiterunternehmen, das die GaN-Revolution mit den leistungsstärksten und zuverlässigsten GaN-Geräten für Hochspannungs-Stromumwandlungsanwendungen anführt. Um dies zu gewährleisten, setzt Transphorm seinen einzigartigen vertikal integrierten Geschäftsansatz ein, der das erfahrenste GaN-Entwicklungsteam der Branche in jeder Entwicklungsphase nutzt: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Dieser Ansatz, der durch eines der größten IP-Portfolios der Branche mit über 1000 Patenten unterstützt wird, hat die einzigen JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten GaN-FETs der Branche hervorgebracht. Die Innovationen von Transphorm bringen Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen über 99 % Effizienz, 40 % mehr Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten – und so machen wir das.
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