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Certifications for ISO45001
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  • UnitedSiC UF3SC065030D8S

    SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :UF3SC065030D8S
  • Hersteller :UnitedSiC
  • Dasenic Modell :UF3SC065030D8S-DS
  • Dokument :pdf download UF3SC065030D8S Dokument
  • Beschreibung : SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
  • Verpackung :-
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  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
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UnitedSiC UF3SC065030D8S technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:4-PowerTSFN
テクノロジー:SiCFET (Cascode SiCJFET)
サプライヤーデバイスパッケージ:4-DFN (8x8)
消費電力(最大):179W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:18A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:42mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (最大) @ Id:6V @ 10mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:43 nC @ 12 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1500 pF @ 100 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):12V
Vgs (最大):±25V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
UnitedSiC UF3SC065030D8S
1999年、ラトガース大学の小さな研究者チームがUnitedSiCを設立しました。2010年、UnitedSiCはプリンストンニュージャージーの近くにパイロット生産クリーンルームを建設し、SiCプロセスを商業ファウンドリに直接設置できる段階まで強化しました。この時点で、UnitedSiCはファブレス企業となり、製品設計、研究開発、顧客サポートにリソースを集中させました。2021年11月3日、QorvoはUnitedSiCの買収を発表し、UnitedSiCはQorvoのインフラストラクチャおよび防衛製品(IDP)事業の一部となりました。UnitedSiCのテクノロジーは、Qorvoの補完的なプログラマブル電源管理製品と世界クラスのサプライチェーン機能と相まって、UnitedSiCは最先端のアプリケーションで優れたレベルの電力効率を実現できるようになります。現在、世界中のお客様が、新しい電気自動車 (EV) 充電器、AC-DC および DC-DC 電源、ソリッドステート回路ブレーカー、可変速モーター ドライブ、太陽光発電インバーターに UnitedSiC FET、JFET、ショットキー ダイオード デバイスを使用しています。
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