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Vishay SIP41111DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Hersteller Modell :SIP41111DY-T1-E3
Hersteller :Vishay
Dasenic Modell :SIP41111DY-T1-E3-DS
Dokument :
SIP41111DY-T1-E3 Dokument
SIP41111DY-T1-E3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.3532 | $ 1.35 |
| 200+ | $ 0.5241 | $ 104.82 |
| 500+ | $ 0.5054 | $ 252.7 |
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SIP41111DY-T1-E3 Informationen
Vishay SIP41111DY-T1-E3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:9V ~ 13.2V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:4V, 7V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:2A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):75 V
- 上昇/下降時間（標準）:13ns, 15ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIP41111DY-T1-E3 bereitgestellt von Vishay
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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