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Vishay SQJB60EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Hersteller Modell :SQJB60EP-T1_GE3
- Hersteller :Vishay
- Dasenic Modell :SQJB60EP-T1_GE3-DS
- Dokument :
SQJB60EP-T1_GE3 Dokument
- Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Verpackung :-
- Menge :Einzelpreis : $ 0.6561Gesamt : $ 0.66
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Vishay SQJB60EP-T1_GE3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:PowerPAK® SO-8 Dual
Leistung – Max:48W
Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SO-8 Dual
F E T- Typ:2 N-Channel (Dual)
F E T- Funktion:Standard
Drain- Source- Spannung ( Vdss):60V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:30A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) ( Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:1600pF @ 25V
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
REACH-Status:REACH is not affected
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Vishay SQJB60EP-T1_GE3
Vishay Intertechnology, Inc., ein Fortune 1000-Unternehmen, das an der NYSE (VSH) notiert ist, ist einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleitern (Dioden, Gleichrichter, MOSFETs, Optoelektronik und ausgewählte ICs) und passiven elektronischen Komponenten (Widerstände, Induktoren und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in praktisch allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt, Stromversorgung und Medizin eingesetzt. Vishays Produktinnovationen, erfolgreiche Akquisitionsstrategie und „One-Stop-Shop“-Service haben das Unternehmen zu einem globalen Branchenführer gemacht.
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