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  • Vishay SQJB80EP-T1_GE3

    MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :SQJB80EP-T1_GE3
  • Hersteller :Vishay
  • Dasenic Modell :SQJB80EP-T1_GE3-DS
  • Dokument :pdf download SQJB80EP-T1_GE3 Dokument
  • Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
  • Verpackung :-
  • Menge :
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  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
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Vishay SQJB80EP-T1_GE3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8 Dual
パワー - 最大:48W
サプライヤーデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8 Dual
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
F E T機能:Standard
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):80V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:19mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:32nC @ 10V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1400pF @ 25V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Vishay SQJB80EP-T1_GE3
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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