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WeEn Semiconductors BYV29B-600PJ
DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK
Hersteller Modell :BYV29B-600PJ
Hersteller :WeEn Semiconductors
Dasenic Modell :BYV29B-600PJ-DS
Dokument :
BYV29B-600PJ Dokument
BYV29B-600PJ DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.4680 | $ 1.47 |
| 5+ | $ 1.1900 | $ 5.95 |
| 25+ | $ 1.0520 | $ 26.3 |
| 100+ | $ 0.9440 | $ 94.4 |
| 800+ | $ 0.8820 | $ 705.6 |
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BYV29B-600PJ Informationen
WeEn Semiconductors BYV29B-600PJ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- サプライヤーデバイスパッケージ:D²PAK
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):9A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.3 V @ 8 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 600 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):600 V
- 逆回復時間 (trr):75 ns
- 動作温度 - 接合部:175°C (Max)
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BYV29B-600PJ bereitgestellt von WeEn Semiconductors
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
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