Die Bilder dienen nur als Referenz.
1 : $96.6420
Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !
Wolfspeed C2M0045170P
Hersteller Modell :C2M0045170P
Hersteller :Wolfspeed
Dasenic Modell :C2M0045170P-DS
Dokument : C2M0045170P Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
Auf Lager: 1838
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 96.642
Gesamt :$ 96.64
Waren ausliefern :
Zahlung :
Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.
Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.
Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.
Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.
C2M0045170P Informationen
Wolfspeed C2M0045170P technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Not For New Designs
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:TO-247-4
- Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4L
- Verlustleistung (max.):520W (Tc)
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):1700 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:72A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:59mOhm @ 50A, 20V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:4V @ 18mA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:188 nC @ 20 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:3672 pF @ 1000 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):20V
- Vgs (max.):+25V, -10V
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:Vendor is not defined
- US-ECCN:Provided as per user requirements
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C2M0045170P bereitgestellt von Wolfspeed
Wolfspeed ist ein leistungsstarkes Halbleiterunternehmen mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbid- und GaN-Technologien. Wir leiten die Transformation von Silizium zu Siliziumkarbid (SiC) und GaN und gestalten die Zukunft der Halbleitermärkte: den Übergang zu Elektrofahrzeugen, den Wechsel zu schnelleren 5G-Netzwerken, die Entwicklung erneuerbarer Energien und Energiespeicherung sowie die Weiterentwicklung industrieller Anwendungen. Nach mehr als 35 Jahren der Förderung der Einführung und Transformation neuer Technologien sind unsere Wolfspeed®-Leistungs- und Hochfrequenzhalbleiter (RF) dank unübertroffener Expertise und Kapazität branchenführend.
Wolfspeed Verwandte Produkte
Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.