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Wolfspeed C2M0160120D

Name: C2M0160120D
Brand: Wolfspeed
SKU: DS-6171209
Price: 7.497 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3

Hersteller Modell :C2M0160120D

Hersteller :Wolfspeed

Dasenic Modell :C2M0160120D-DS

Dokument :

C2M0160120D Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3 TO-247-3

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C2M0160120D Informationen

Wolfspeed C2M0160120D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Not For New Designs
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力（最大）:125W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:19A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:196mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 500µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:32.6 nC @ 20 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:527 pF @ 800 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:20V
Vgs (最大):+25V, -10V

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Datasheet:
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FedEx	3-7 business days
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Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。