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Wolfspeed C3M0040120J1
1200V 40 M SIC MOSFET
Hersteller Modell :C3M0040120J1
Hersteller :Wolfspeed
Dasenic Modell :C3M0040120J1-DS
Dokument :
C3M0040120J1 Dokument
C3M0040120J1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : 1200V 40 M SIC MOSFET
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C3M0040120J1 Informationen
Wolfspeed C3M0040120J1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-263-7
- Verlustleistung (max.):272W (Tc)
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):1200 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:64A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:53.5mOhm @ 33.3A, 15V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:3.6V @ 9.2mA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:94 nC @ 15 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:2900 pF @ 1000 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):15V
- Vgs (max.):+15V, -4V
- MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C3M0040120J1 bereitgestellt von Wolfspeed
Wolfspeed ist ein leistungsstarkes Halbleiterunternehmen mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbid- und GaN-Technologien. Wir leiten die Transformation von Silizium zu Siliziumkarbid (SiC) und GaN und gestalten die Zukunft der Halbleitermärkte: den Übergang zu Elektrofahrzeugen, den Wechsel zu schnelleren 5G-Netzwerken, die Entwicklung erneuerbarer Energien und Energiespeicherung sowie die Weiterentwicklung industrieller Anwendungen. Nach mehr als 35 Jahren der Förderung der Einführung und Transformation neuer Technologien sind unsere Wolfspeed®-Leistungs- und Hochfrequenzhalbleiter (RF) dank unübertroffener Expertise und Kapazität branchenführend.
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