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Wolfspeed C3M0045065K
Hersteller Modell :C3M0045065K
Hersteller :Wolfspeed
Dasenic Modell :C3M0045065K-DS
Dokument : C3M0045065K Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
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Verpackung :-
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C3M0045065K Informationen
Wolfspeed C3M0045065K technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:TO-247-4
- Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4L
- Verlustleistung (max.):176W (Tc)
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):650 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:49A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:60mOhm @ 17.6A, 15V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:3.6V @ 4.84mA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:63 nC @ 15 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:1621 pF @ 600 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):15V
- Vgs (max.):+19V, -8V
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C3M0045065K bereitgestellt von Wolfspeed
Wolfspeed ist ein leistungsstarkes Halbleiterunternehmen mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbid- und GaN-Technologien. Wir leiten die Transformation von Silizium zu Siliziumkarbid (SiC) und GaN und gestalten die Zukunft der Halbleitermärkte: den Übergang zu Elektrofahrzeugen, den Wechsel zu schnelleren 5G-Netzwerken, die Entwicklung erneuerbarer Energien und Energiespeicherung sowie die Weiterentwicklung industrieller Anwendungen. Nach mehr als 35 Jahren der Förderung der Einführung und Transformation neuer Technologien sind unsere Wolfspeed®-Leistungs- und Hochfrequenzhalbleiter (RF) dank unübertroffener Expertise und Kapazität branchenführend.
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