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Wolfspeed E3M0120090D
Hersteller Modell :E3M0120090D
Hersteller :Wolfspeed
Dasenic Modell :E3M0120090D-DS
Dokument : E3M0120090D Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
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E3M0120090D Informationen
Wolfspeed E3M0120090D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 消費電力(最大):97W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):900 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:23A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:155mOhm @ 15A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 3mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:17.3 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:350 pF @ 600 V
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):15V
- Vgs (最大):+18V, -8V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
E3M0120090D bereitgestellt von Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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