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Wolfspeed E4D10120A
E SERIES, 10 AMP, 1200V G4 SCHOT
Hersteller Modell :E4D10120A
Hersteller :Wolfspeed
Dasenic Modell :E4D10120A-DS
Dokument :
E4D10120A Dokument
E4D10120A DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : E SERIES, 10 AMP, 1200V G4 SCHOT
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 14.1210 | $ 14.12 |
| 50+ | $ 8.2006 | $ 410.03 |
| 100+ | $ 14.1210 | $ 1412.1 |
| 500+ | $ 7.4475 | $ 3723.75 |
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E4D10120A Informationen
Wolfspeed E4D10120A technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Produktstatus:Active
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:TO-220-2
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220-2
- Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
- Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):33A (DC)
- Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.8 V @ 10 A
- Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:200 µA @ 1200 V
- Kapazität @ Vr, F:777pF @ 0V, 1MHz
- Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1200 V
- Sperrverzögerungszeit (trr):-
- Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 175°C
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.10.0080
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
E4D10120A bereitgestellt von Wolfspeed
Wolfspeed ist ein leistungsstarkes Halbleiterunternehmen mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbid- und GaN-Technologien. Wir leiten die Transformation von Silizium zu Siliziumkarbid (SiC) und GaN und gestalten die Zukunft der Halbleitermärkte: den Übergang zu Elektrofahrzeugen, den Wechsel zu schnelleren 5G-Netzwerken, die Entwicklung erneuerbarer Energien und Energiespeicherung sowie die Weiterentwicklung industrieller Anwendungen. Nach mehr als 35 Jahren der Förderung der Einführung und Transformation neuer Technologien sind unsere Wolfspeed®-Leistungs- und Hochfrequenzhalbleiter (RF) dank unübertroffener Expertise und Kapazität branchenführend.
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