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Rochester Electronics 2SC3585-T1B-A
Hersteller Modell :2SC3585-T1B-A
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :2SC3585-T1B-A-DS
Dokument : 2SC3585-T1B-A Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : NPN TRANSISTOR
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2SC3585-T1B-A Informationen
Rochester Electronics 2SC3585-T1B-A technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- パワー - 最大:200mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT23-3 (TO-236)
- トランジスタタイプ:NPN
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):35mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):10V
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:50 @ 10mA, 6V
- 周波数 - 遷移:10GHz
- ノイズ指数 (d B 標準 @ f):1.8dB @ 2GHz
- 得:9dB
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
2SC3585-T1B-A bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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