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Central Semiconductor CMLDM8002AG TR PBFREE
MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563
- Hersteller Modell :CMLDM8002AG TR PBFREE
- Hersteller :Central Semiconductor
- Dasenic Modell :CMLDM8002AG TR PBFREE-DS
- Dokument :
CMLDM8002AG TR PBFREE Dokument - Beschreibung : MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563
- Verpackung :-
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
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Central Semiconductor CMLDM8002AG TR PBFREE technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:SOT-563, SOT-666
Leistung – Max:350mW
Gerätepaket des Lieferanten:SOT-563
F E T- Typ:2 P-Channel (Dual)
F E T- Funktion:Logic Level Gate
Drain- Source- Spannung ( Vdss):50V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:280mA
R D S ein (max.) bei I D, V G S:2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) ( Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:0.72nC @ 4.5V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:70pF @ 25V
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.21.0095
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Central Semiconductor CMLDM8002AG TR PBFREE
Bei Central Semiconductor nehmen wir diskrete Halbleiter ernst. Unser Geschäft ist das Streben nach Perfektion bei den Geräten, die wir herstellen, der Lieferung unserer Produkte und den Dienstleistungen, die wir erbringen – und das immer und jederzeit. Um unterschiedlichen Anwendungen gerecht zu werden, sind unsere Produkte als Oberflächenmontage, Durchsteckmontage und als Bare Die erhältlich. Wir produzieren eine breite Palette von Standardgeräten, sind aber in kundenspezifischen, speziellen und anderen Nischenprodukten und -dienstleistungen unübertroffen. Da wir auf unsere Kunden hören und Branchenveränderungen beobachten, entwickeln unsere Produktdesignteams ständig neue Produkte, um den sich ständig ändernden Anforderungen unserer Kunden sowie Branchentrends gerecht zu werden.
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